合盛新材料8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

经过五年的潜心研究与深入钻研，合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起，公司聚焦市场需求，专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术，经过近两年的理论深化与技术迭代，现已实现高质量产品的稳定量产。

该8英寸导电型4H-SiC衬底在多项关键性能指标上均展现出卓越优势。通过精密的工艺控制与技术创新，衬底的微管密度显著降低至0.05/cm²以下，确保了衬底的高纯度与高质量。同时，4H晶型面积比例达到100%，展现了极高的晶体完整性与稳定性。电阻率稳定在0.015-0.025Ω·cm之间，相对标准偏差小于4%，彰显了材料优异的性能。

在结晶质量与位错控制方面，合盛同样表现出色。通过高分辨X射线衍射测试，衬底的5点摇摆曲线半峰宽平均值小于30arcsec，表明其结晶质量达到了行业顶尖水平。此外，位错密度（TSD≤20/cm²，BPD≤200/cm²）表现优异，进一步提升了衬底的可靠性与应用潜力。

加工能力方面，合盛新材料已具备生产500μm和350μm厚度8英寸衬底的成熟工艺，产品面型数据（LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW：-15μm～15μm，Warp≤30μm）均达到国际先进水平，满足了高端电子器件对衬底平整度的严苛要求。同时，公司严格控制衬底表面金属离子浓度≤5E10 atoms/cm²，确保产品符合国内外客户对表面质量的高标准要求。

在外延工艺验证中，采用合盛8英寸衬底生产的外延片表现出色，膜厚均匀性与掺杂均匀性均高于行业平均水平，致命缺陷密度低于0.3颗/cm²，可用面积超过99%，充分证明了合盛在半导体材料领域的强大实力与技术创新能力。

合盛硅业表示，8英寸导电型4H-SiC衬底的全线贯通，不仅为合盛自身发展注入了强劲动力，更为全球半导体产业的高质量发展提供了有力支撑。未来，合盛新材料将继续秉承创新驱动发展战略，深耕半导体材料领域，为推动全球科技进步贡献更多“中国智慧”与“中国力量”。